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[发明专利]具有初始化功能的相变存储器写擦电路及其快速写擦方法-CN201310674694.2在审
发明人：陈后鹏;李喜;王倩;范茜;胡佳俊;张怡云;金荣;许伟义;陈小刚;蔡道林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种具有初始化功能的相变存储器写擦电路，所述相变存储器写擦电路至少包括：初始化控制电路，与电源连接，用于接入内部电路上电复位信号及外部信号并发出初始化复位信号；初始化电路，包括原始电流源；所述初始化电路与所述电源及所述初始化控制电路连接，并在所述初始化复位信号的控制下发出复位电流脉冲使相变存储单元初始化；写擦控制电路，包括写擦控制信号产生电路及与所述写擦控制信号产生电路相连的写擦操作电路；所述写擦操作电路连接于所述电源及所述相变存储单元之间本发明可以提高相变存储器的位合格率，同时还具有快速写擦功能。
具有初始化功能相变存储器电路及其速写方法

[发明专利]易写易擦液-CN93100763.1无效
发明人：任四旗;任俊杰 -专利权人：任国莉;任俊杰
申请日： 1993-01-06 - 公布日： 1994-07-27 - 主分类号： C09D10/00 文献下载
摘要：是一种书写绘画用的易写易擦液，装入笔中象粉笔那样实用方便，又象钢笔那样干净卫生，并有粉笔的优点可涂擦，还可避免粉笔的最大缺点，达到绝对无尘。这种易写易擦液可广泛用于搪瓷、玻璃或各种非渗透性和非吸湿性的柔光板面上书写、绘画。易写易擦，无毒无尘，擦后瞬间消失，无任何痕迹。
易写易擦液

[发明专利]一种阵列雷达回波模拟器及其模拟方法-CN201610190678.X有效
发明人：宋万杰;梁雪妮;王强;李娜 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： G01S7/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列雷达回波模拟器，包括主机板、接口板和存储板；主机板用于获取擦FLASH指令、写FLASH指令和读FLASH指令，并实时接收并存储接口板发送过来的阵列雷达回波信号；接口板用于依次接收所述擦FLASH指令、写FLASH指令和读FLASH指令，并实时获取阵列雷达回波信号，进而获得低电平擦FLASH选通信号、低电平写FLASH选通信号和低电平读FLASH选通信号，然后将所述阵列雷达回波信号转化为N路缓存阵列雷达回波信号；存储板用于实时接收并存储所述N路缓存阵列雷达回波信号、低电平擦FLASH选通信号、低电平写FLASH选通信号和低电平读FLASH选通信号，并依次进行擦FLASH、写FLASH和读FLASH操作，依次获得擦FLASH完成指令、写FLASH完成指令和N路缓存FLASH阵列雷达回波信号，并实时存储于接口板中。
一种阵列雷达回波模拟器及其模拟方法

[发明专利]一种提高通道内3D NAND FLASH并行度的方法及系统-CN202111616821.4在审
发明人：李绪金;沈力;刘奇浩 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明根据3D NAND FLASH的读写特性，在一条写命令和写数据中穿插入其他FLASH的命令，降低通道的读延迟，提高读写擦并行度。为了保证写性能和读性能的平衡，设计了一套根据新命令、读命令反馈和定时器触发的判断流程，依据该流程在一条写命令的lower page和middle page的busy时间段内，插入其他NAND FLASH的读/擦命令、读/擦数据的同时，不会牺牲太多的写性能。可根据用户需求，实时调节写延迟，换取低读延迟，并提高同一通道内NAND FLASH并行度。
一种提高通道 nand flash 并行方法系统

[发明专利]非易失性半导体存储器及其驱动方法-CN200510062726.9无效
发明人：铃木润一 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储器，包括存储单元阵列、控制电路和地址控制电路。在存储单元阵列中，多个存储单元排列成行和列的矩阵。控制电路响应擦除指令设置写/擦方式，并对擦除指令计数。地址控制电路基于在写/擦方式中控制电路的计数值，根据写操作的输入地址产生写地址。对基于当前写操作中一系列写地址访问的存储单元的写顺序，与对基于前次写操作中一系列写地址访问的存储单元的写顺序不同。
非易失性半导体存储器及其驱动方法

[发明专利]一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法-CN201610118179.X在审
发明人：霍如如;蔡道林;陈一峰;魏宏阳;方红波;卢瑶瑶;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法，所述相变存储器至少包括：相变存储单元阵列；写擦驱动模块，与所述相变存储单元阵列相连，用于产生和输出写操作和擦操作电流信号；操作次数比较器，与所述写擦驱动模块相连，用于监控所述相变存储单元阵列写操作和擦操作的操作次数，根据所述操作次数和相变存储单元阵列的高低阻识别窗口的关系，调整所述写操作和擦操作电流信号。
一种相变存储器提高疲劳寿命操作方法

[发明专利]用于设置记录介质的存储容量的方法和设备-CN200610139321.5无效
发明人：饭田安津夫 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G11B5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于设置记录介质的存储容量的方法和设备。通过建立所述记录介质的多个保证写/擦耐久性值与多个记录密度值之间的预定关系，然后选择所需的保证写/擦耐久性，来设置记录介质的记录密度。根据所述预定关系来确定与所需的保证写/擦耐久性相对应的记录密度值，并且基于所确定的记录密度值来设置所述记录介质的记录密度。
用于设置记录介质存储容量方法设备

[发明专利]优选相变存储器写操作电流的系统及方法-CN201810368154.4有效
发明人：吴磊;陈一峰;蔡道林;卢瑶瑶;刘源广;闫帅;李阳;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获取与写操作电流对应的电阻数据及V‑I特性曲线；每次写操作之前还基于相同预设擦参数对待操作单元进行擦操作；对不同写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对真写操作电流对应的V‑I特性曲线进行拟合获取若干亚阈值斜率；及对获取的各亚阈值斜率进行统计分析获取最优写操作电流。通过本发明，解决了现有方法无法筛选出最优写操作电流的问题。
优选相变存储器操作电流系统方法

[发明专利]提升SSD混合读写性能的方法、装置、存储介质及设备-CN202310618288.8有效
发明人：宛丽娟;蒲强;卢大成;薛红军;康雷 -专利权人：北京得瑞领新科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及数据存储技术领域，提供了一种提升SSD混合读写性能的方法、装置、存储介质及设备，该方法包括：获取SSD的NAND闪存写数据的写带宽，以及NAND闪存中当前并发执行读、写和擦命令的die的数量；根据闪存中并发执行各命令的die的数量以及与读、写和擦命令对应的均衡系数计算当前统计时刻NAND闪存并发执行各命令的所有die的总均衡系数，根据写带宽匹配NAND闪存并发执行读、写、擦命令时对应的均衡系数阈值；根据总均衡系数与均衡系数阈值的差值确定下一待执行的操作命令的类型和执行对应操作命令的die的数量，以保证下一统计时刻NAND闪存的总均衡系数小于或等于均衡系数阈值。本发明能够减少读命令命中同一个die的概率，从而降低延时提升QoS。
提升 ssd 混合读写性能方法装置存储介质设备

[实用新型]多次重复使用的画写本组件-CN200520110519.1无效
发明人：孙良红 -专利权人：孙良红
申请日： 2005-06-29 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： B43L1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多次重复使用的画写本组件，包括画写本、绒布擦和画写笔，所述画写本由画写纸板装订而成，画写纸板为普通纸制基板涂布含有矿物质粉的有机涂料制成；所述画写笔为普通石笔或粉笔。所述绒布擦为普通绒布粘贴在泡沫板上。由于纸制基板上涂布含有矿物质粉的有机涂料，形成了一种较为粗糙的石制表面，使其可以与石笔配合，能用石笔在其上可以顺畅的书写和作画。再配合绒布擦，可以将书写和画上的笔记轻易地擦拭去掉，从而可以达到多次使用的目的。
多次重复使用写本组件

[实用新型]磁性显示装置-CN200720195653.5无效
发明人：劳丽萍 -专利权人：劳丽萍
申请日： 2007-11-06 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： G09F9/37 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁性显示装置，包括磁胶片(1)、磁笔(2)、磁擦(3)及磁极显示件(4)；磁胶片(1)为不充磁或厚度充磁；磁胶片(1)的两面或一面可作画写面(11)；磁笔(2)至少一端及磁擦(3)至少一面为一磁体，磁笔(2)及磁擦(3)可与画写面(11)导磁并产生相反的磁极；磁极显示件(4)呈片状可放置在画写面(11)上，其外层为一磁场可渗透物料，其内为一含有磁粉的液态剂。本实用新型所画写的字迹或图形不能以人类肉眼直接看见，须用显示件方可显示出来，故可增加趣味性，有利于记录及显示保密资料。
磁性显示装置

[发明专利]一种多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案-CN202111021709.6有效
发明人：金威;程思莹;李翔;李亚茹;张毅博;张亚勋;张羽;刘志海;杨军;苑立波 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：本发明提供一种多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案。该多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案，包括“读、写、擦”激光输出模块、多芯光纤忆阻器、“读”多芯探测模块，其中多芯光纤忆阻器包括多芯光纤、光学相变材料薄膜和防氧化增反膜。在多芯光纤端面后依次镀有光学相变材料薄膜和防氧化增反膜来构造多芯光纤忆阻器；各个纤芯中注入“擦、写”脉冲激光分别对各纤芯端面的光学相变材料的相态进行调控，不同相态下的光学相变材料反射率存在差异，通过“读
一种光纤器件方案

[发明专利]一种测试电可擦除电可编程存储器的性能及其故障的方法-CN03115438.7无效
发明人：尚为兵;陈欣;印义言 -专利权人：上海华园微电子技术有限公司
申请日： 2003-02-17 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种测试电可擦除电可编程存储器的性能及其故障的方法，包括以下步骤：在电压条件下，(1)采用全擦全写FF00模式然后读出；(2)用全擦全写55AA模式然后读出然后读出；(3)用页擦页写模式然后读出；(4)用字节擦字节写模式然后读出；如果其性能有问题，还包括以下步骤：通过对电可擦除电可编程存储器的内部单元和电流测试电路，(5)测试其内部单元的电流大小；(6)外加对电可擦除电可编程存储器擦写时所需要的高压，
一种测试擦除可编程存储器性能及其故障方法

[发明专利]支持直接重写操作和擦后写操作的磁光盘驱动器-CN96110610.7无效
发明人：山川辉二;荻野纪代美;沼田健彦 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 1996-07-10 - 公布日： 2002-03-27 - 主分类号： G11B5/012 文献下载
摘要：一种磁光记录系统，该系统与擦后写磁光媒体和直接重写磁光媒体相兼容。本发明提供的该磁光记录系统包括一个检测器，用来检测媒体的类型；及一个控制器，与该检测器耦合并根据相应类型的媒体控制擦后写操作或直接重写操作。$#!
支持直接重写操作擦后写光盘驱动器

[实用新型]带橡皮擦的手机壳-CN201220638226.0有效
发明人：梁伟伟 -专利权人：梁伟伟
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H04M1/21 文献下载
摘要：带橡皮擦的手机壳，其特征是：在手机壳的一侧通过铆钉安装橡皮擦。其有益效果是：手机壳上的橡皮擦可以擦去人们用铅笔写的字，还可用于清洁，方便实用。
橡皮擦机壳

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